從一起芯片發(fā)明專(zhuān)利侵權(quán)糾紛案談權(quán)利要求的解釋規(guī)則
發(fā)明專(zhuān)利的權(quán)利要求書(shū)是對(duì)說(shuō)明書(shū)的提煉和歸納，是確定專(zhuān)利權(quán)保護(hù)范圍的依據(jù)。由于語(yǔ)言文字表達(dá)技術(shù)方案的局限性，權(quán)利要求的解釋也就不可避免。一審法院在解讀權(quán)利要求時(shí)，以字面解讀和說(shuō)明書(shū)中發(fā)明人自稱(chēng)的發(fā)明點(diǎn)為依據(jù)確定權(quán)利要求的保護(hù)范圍，出現(xiàn)了紕漏。二審法院則結(jié)合專(zhuān)利審查檔案，客觀公正地劃定了專(zhuān)利權(quán)的保護(hù)范圍，糾正了一審判決的錯(cuò)誤。
(一)
安徽的A公司從事電力電子半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體芯片、電子材料的設(shè)備生產(chǎn)、銷(xiāo)售及進(jìn)出口業(yè)務(wù)。2014年9月3日，A公司向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)了201410446710.7號(hào)“一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)”的發(fā)明專(zhuān)利。2018年7月17日獲得授權(quán)公告，目前為有效法律狀態(tài)。
專(zhuān)利權(quán)利要求1記載：1.一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，包括長(zhǎng)基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴(kuò)磷區(qū)N+，濃硼擴(kuò)散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結(jié)構(gòu)；其特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場(chǎng)弱的電壓槽結(jié)構(gòu)；所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。
專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)記載：本發(fā)明的目的是提供一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，解決現(xiàn)有晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)耐壓值低、正反向電壓嚴(yán)重不對(duì)稱(chēng)的問(wèn)題。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，包括長(zhǎng)基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴(kuò)磷區(qū)N+，濃硼擴(kuò)散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結(jié)構(gòu)；所述的電壓槽是耐高壓、表面電場(chǎng)弱的電壓槽結(jié)構(gòu)。所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，所述電壓槽側(cè)壁的上沿至少設(shè)置有一級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的有益效果：所述電壓槽采用臺(tái)階結(jié)構(gòu)，可以有效增大電壓槽的表面積，降低了P層表面濃度，有利于空間電荷區(qū)的展寬，達(dá)到降低表面電場(chǎng)強(qiáng)度的效果，提高了工作電壓和晶閘管芯片電參數(shù)的穩(wěn)定性、減小了正反向耐壓的差距。所述一層臺(tái)階結(jié)構(gòu)耐壓峰值可以達(dá)到1800-3000伏，所述兩層臺(tái)階結(jié)構(gòu)耐壓峰值可以達(dá)到3000-4000伏。
浙江B公司成立于2004年8月4日，經(jīng)營(yíng)電力電子器件制造、銷(xiāo)售。2011年2月23日，B公司向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)了201120045343.1號(hào)“方形晶閘管芯片”實(shí)用新型專(zhuān)利。2011年8月31日，該專(zhuān)利獲得授權(quán)公告。
該實(shí)用新型專(zhuān)利權(quán)利要求書(shū)記載：一種方形晶閘管芯片，包括陰極、硅片和陽(yáng)極，所述陰極、所述硅片和所述陽(yáng)極都為扁平狀，所述硅片一面貼有陰極，另一面貼有陽(yáng)極，所述陰極上開(kāi)有一通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)有門(mén)極，所述門(mén)極、所述陰極、所述硅片和所述陽(yáng)極表面都搪有焊料，所述門(mén)極與所述陰極之間為門(mén)環(huán)極，其特征在于，所述陰極、所述硅片和所述陽(yáng)極都為方形。根據(jù)權(quán)利要求所述的方形晶閘管芯片，其特征在于，所述陽(yáng)極的尺寸大于所述硅片的尺寸，所述硅片尺寸大于所述陰極尺寸，所述硅片四周為挖槽工藝得到的臺(tái)面，所述臺(tái)面表面覆蓋有高溫玻璃。但該專(zhuān)利文件并未直接披露發(fā)明專(zhuān)利201410446710.7權(quán)利要求1中記載的臺(tái)階結(jié)構(gòu)。
2020年4月，安徽C公司從B公司購(gòu)買(mǎi)KP23*23mm、KP18*18mm、KP15*15mm、KP13*13mm四種規(guī)格方形芯片700片。在收到產(chǎn)品后，C公司于同日將芯片送至A公司進(jìn)行測(cè)試。A公司遂于第二天與C公司簽訂《產(chǎn)品銷(xiāo)售合同》，回購(gòu)該批次產(chǎn)品，并進(jìn)行了公證。隨后，A公司以B公司產(chǎn)品侵害其發(fā)明專(zhuān)利201410446710.7專(zhuān)利權(quán)為由，將B公司和C公司共同訴至法院，要求B公司停止侵權(quán)并賠償經(jīng)濟(jì)損失100萬(wàn)元等。
在一審中，B公司認(rèn)為檢測(cè)報(bào)告顯示被訴侵權(quán)產(chǎn)品斜面只有一級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)，沒(méi)有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)，與涉案專(zhuān)利附圖二一致，但與附圖三不同。涉案專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)的第20-22段可以說(shuō)明涉案專(zhuān)利是二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)，涉案專(zhuān)利的創(chuàng)新點(diǎn)是具備有兩級(jí)及以上臺(tái)階結(jié)構(gòu)。簡(jiǎn)言之，涉案專(zhuān)利創(chuàng)新點(diǎn)在于二級(jí)及以上臺(tái)階結(jié)構(gòu)，而被訴侵權(quán)產(chǎn)品只有一級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)，故不構(gòu)成侵權(quán)。
被訴侵權(quán)產(chǎn)品的剖視圖：
涉案專(zhuān)利附圖2和3：
一審法院認(rèn)為，涉案專(zhuān)利的權(quán)利要求1所描述的特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場(chǎng)弱的電壓槽結(jié)構(gòu)；所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。從上述權(quán)利要求的文義可看，設(shè)置臺(tái)階結(jié)構(gòu)有“均”字，而二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)沒(méi)有要求“均”設(shè)置。因此，所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)即是其創(chuàng)新點(diǎn)，并不強(qiáng)求一定要有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。為了避免對(duì)也許無(wú)心的“均”字做過(guò)度解讀，還有必要結(jié)合專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)來(lái)解釋。說(shuō)明書(shū)第4段最后一句有“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)”，緊接著第5段有“進(jìn)一步的，所述電壓槽側(cè)壁的上沿至少設(shè)置有一級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”，再緊接著第6段有“優(yōu)選的，所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”。該說(shuō)明再次表明，一級(jí)臺(tái)階設(shè)置即是涉案專(zhuān)利的創(chuàng)新點(diǎn)，而二級(jí)臺(tái)階設(shè)置是進(jìn)階版。此外，說(shuō)明第10段稱(chēng)“圖2為本發(fā)明一級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的局部剖視圖”，第11段稱(chēng)“圖3為本發(fā)明二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的局部剖視圖”。第12段所舉的“實(shí)施例1”也正是與圖2所示相同的具體實(shí)施方式。最終沒(méi)有支持B公司的抗辯理由，認(rèn)為被訴侵權(quán)產(chǎn)品落入了涉案專(zhuān)利權(quán)利要求1的保護(hù)范圍，構(gòu)成等同侵權(quán)。
收到一審判決后，代理律師調(diào)取了涉案發(fā)明專(zhuān)利在國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局實(shí)質(zhì)審查階段的審查檔案。經(jīng)查，涉案發(fā)明專(zhuān)利公開(kāi)的權(quán)利要求書(shū)共記載了8項(xiàng)專(zhuān)利要求，其中權(quán)利要求1至4內(nèi)容如下：
1.一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，包括長(zhǎng)基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴(kuò)磷區(qū)N+，濃硼擴(kuò)散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結(jié)構(gòu)；其特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場(chǎng)弱的電壓槽結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽側(cè)壁的上沿至少設(shè)置有一級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局在2017年5月26日簽發(fā)的《第一次審查意見(jiàn)通知書(shū)》中指出涉案專(zhuān)利公開(kāi)版本的權(quán)利要求1-3，5，7，8不具有專(zhuān)利法第22條第3款規(guī)定的創(chuàng)造性，同時(shí)，還明確指出權(quán)利要求2-3即“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)”這一技術(shù)特征已經(jīng)被對(duì)比文件3（CN1199930A）公開(kāi)，不具有專(zhuān)利法第22條第3款規(guī)定的創(chuàng)造性。
A公司針對(duì)《第一次審查意見(jiàn)通知書(shū)》指出的缺陷對(duì)其權(quán)利要求書(shū)進(jìn)行了修改，修改后的權(quán)利要求書(shū)共5項(xiàng)權(quán)利要求，其中權(quán)利要求1為：
1.一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，包括長(zhǎng)基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴(kuò)磷區(qū)N+，濃硼擴(kuò)散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結(jié)構(gòu)；其特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場(chǎng)弱的電壓槽結(jié)構(gòu)；所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽側(cè)壁的上沿至少設(shè)置有一級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。
針對(duì)第一次修改后的權(quán)利要求書(shū)，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局又發(fā)出了《第二次審查意見(jiàn)通知書(shū)》，指出：權(quán)利要求1中限定了“所述電壓槽側(cè)壁的上沿至少設(shè)置有一級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”，其中“至少設(shè)置有一級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”與“設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”限定出了不同的保護(hù)范圍，導(dǎo)致權(quán)利要求保護(hù)范圍不清楚，不符合專(zhuān)利法第26條第4款的規(guī)定。
針對(duì)《第二次審查意見(jiàn)通知書(shū)》指出的缺陷，A公司再次對(duì)權(quán)利要求書(shū)進(jìn)行了修改，成為前文所述的權(quán)利要求1的最終授權(quán)版本。
結(jié)合涉案專(zhuān)利的審查文件記載的內(nèi)容，B公司向最高人民法院提起了上訴，并指出，根據(jù)最高人民法院《關(guān)于審理侵犯專(zhuān)利權(quán)糾紛案件應(yīng)用法律若干問(wèn)題的解釋》（法釋【2009】21號(hào)）第三條的規(guī)定，人民法院對(duì)于權(quán)利要求，可以運(yùn)用說(shuō)明書(shū)及附圖、權(quán)利要求書(shū)中的相關(guān)權(quán)利要求、專(zhuān)利審查檔案進(jìn)行解釋。說(shuō)明書(shū)對(duì)權(quán)利要求用語(yǔ)有特別界定的，從其特別界定。以上述方法仍不能明確權(quán)利要求含義的，可以結(jié)合工具書(shū)、教科書(shū)等公知文獻(xiàn)以及本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的通常理解進(jìn)行解釋。原審法院僅依據(jù)涉案專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容，特別是專(zhuān)利權(quán)人自稱(chēng)的發(fā)明點(diǎn)對(duì)涉案專(zhuān)利權(quán)利要求進(jìn)行解釋?zhuān)环献罡咴核痉ń忉尩南嚓P(guān)規(guī)定，一審法院存在認(rèn)定事實(shí)和適用法律錯(cuò)誤的問(wèn)題，請(qǐng)求二審法院予以改判。
二審法院經(jīng)過(guò)審理認(rèn)為，首先，關(guān)于上述技術(shù)特征的理解。從權(quán)利要求1的撰寫(xiě)來(lái)看，“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)”和“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”兩技術(shù)特征，在后的技術(shù)特征“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”是對(duì)在先技術(shù)特征“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)”的進(jìn)一步限定，并非芯微公司主張的兩技術(shù)特征是“或”的關(guān)系。從涉案專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容來(lái)看，“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)”的技術(shù)特征是涉案專(zhuān)利為了解決晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)耐壓值低、正反向電壓嚴(yán)重不對(duì)稱(chēng)問(wèn)題的一個(gè)總的發(fā)明構(gòu)思和技術(shù)手段，“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”的技術(shù)特征對(duì)應(yīng)于說(shuō)明書(shū)中的第二個(gè)實(shí)施例，是對(duì)前述總的發(fā)明構(gòu)思和技術(shù)手段的進(jìn)一步具體化。從涉案專(zhuān)利申請(qǐng)授權(quán)階段的審查文檔來(lái)看，“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)”和“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”兩技術(shù)特征分別是專(zhuān)利申請(qǐng)時(shí)原權(quán)利要求2和4的附加技術(shù)特征，在答復(fù)原權(quán)利要求1至3不具有創(chuàng)造性的審查意見(jiàn)時(shí)，專(zhuān)利權(quán)人將上述技術(shù)特征合并到原獨(dú)立權(quán)利要求1中形成授權(quán)公告的權(quán)利要求1。另外，根據(jù)本領(lǐng)域的現(xiàn)有技術(shù)以及當(dāng)事人確認(rèn)，對(duì)晶閘管芯片而言，電壓槽兩側(cè)壁的上沿設(shè)置臺(tái)階結(jié)構(gòu)時(shí)，兩側(cè)的臺(tái)階結(jié)構(gòu)的級(jí)數(shù)應(yīng)當(dāng)是一致的，不會(huì)出現(xiàn)一側(cè)設(shè)置一級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)而另一側(cè)設(shè)置二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的情況。綜上可以確定，權(quán)利要求1中“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”是對(duì)“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)”對(duì)進(jìn)一步限定，兩技術(shù)特征共同限定的技術(shù)方案應(yīng)當(dāng)理解為“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”。故在本案技術(shù)比對(duì)時(shí)，應(yīng)將涉案專(zhuān)利中“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)”與“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”劃分為一個(gè)技術(shù)特征單元進(jìn)行比對(duì)。進(jìn)而，在本部分應(yīng)當(dāng)解決的問(wèn)題應(yīng)為被訴侵權(quán)技術(shù)方案的相應(yīng)特征與權(quán)利要求中1記載的技術(shù)特征“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”是否相同或者等同這一問(wèn)題，而非被訴侵權(quán)技術(shù)方案是否缺少涉案專(zhuān)利權(quán)利要求1中“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)”這一技術(shù)特征的問(wèn)題。最終最高人民法院支持了B公司的上訴請(qǐng)求，駁回了A公司的全部訴訟請(qǐng)求。
（二）
本案涉及的是專(zhuān)利類(lèi)案件中最常見(jiàn)的權(quán)利要求解釋規(guī)則問(wèn)題。我們知道，在專(zhuān)利制度建立的初期，各國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)文件和專(zhuān)利文件中都不包括權(quán)利要求書(shū)，只包括一個(gè)類(lèi)似今天專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)的文件來(lái)詳細(xì)說(shuō)明發(fā)明的內(nèi)容。在確定專(zhuān)利權(quán)保護(hù)范圍時(shí)，要由法官將授予專(zhuān)利權(quán)的發(fā)明創(chuàng)造與現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行比對(duì)，對(duì)說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容進(jìn)行提煉，歸納出發(fā)明創(chuàng)造的實(shí)質(zhì)和核心。但由此帶來(lái)的問(wèn)題是，在法院作出裁判之前，公眾很難預(yù)料法官會(huì)如何確定專(zhuān)利權(quán)的保護(hù)范圍，從而給專(zhuān)利保護(hù)帶來(lái)了很大的不確定性。
為解決這一難題，在英國(guó)、德國(guó)等國(guó)家，由專(zhuān)利申請(qǐng)人自發(fā)開(kāi)始在專(zhuān)利文件中寫(xiě)出權(quán)利要求書(shū)，而非法律的強(qiáng)制規(guī)定。美國(guó)是率先在專(zhuān)利法中明確規(guī)定專(zhuān)利申請(qǐng)文件和專(zhuān)利文件中應(yīng)當(dāng)包括權(quán)利要求書(shū)的國(guó)家，隨后其他國(guó)家也相繼采納。我國(guó)《專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則》所規(guī)定的發(fā)明或者實(shí)用新型的獨(dú)立權(quán)利要求的撰寫(xiě)方式包括前序部分和特征部分，這種方式英文叫作“Jepson寫(xiě)法”，被《歐洲專(zhuān)利公約》和PCT所推崇。權(quán)利要求書(shū)的作用是明確專(zhuān)利申請(qǐng)和專(zhuān)利權(quán)的保護(hù)范圍，有了權(quán)利要求書(shū)的專(zhuān)利制度才成為現(xiàn)代意義的專(zhuān)利制度。
鑒于權(quán)利要求書(shū)是對(duì)發(fā)明創(chuàng)造技術(shù)方案的高度提煉和總結(jié)，由于使用語(yǔ)言文字表達(dá)技術(shù)方案本身的局限性，因此，不可避免的要對(duì)發(fā)生爭(zhēng)議的技術(shù)特征、技術(shù)方案進(jìn)行合理恰當(dāng)?shù)慕忉屢悦鞔_專(zhuān)利權(quán)的保護(hù)范圍。北京市高級(jí)人民法院制定的《專(zhuān)利侵權(quán)判定指南（2017）》第15條對(duì)專(zhuān)利權(quán)利要求解釋規(guī)則作出了規(guī)定：
15.解釋權(quán)利要求，可以使用專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)及附圖、權(quán)利要求書(shū)中的相關(guān)權(quán)利要求、與涉案專(zhuān)利存在分案申請(qǐng)關(guān)系的其他專(zhuān)利以及上述專(zhuān)利的專(zhuān)利審查檔案、生效的專(zhuān)利授權(quán)確權(quán)裁判文書(shū)所記載的內(nèi)容。
上述方法仍不能明確權(quán)利要求含義的，可以結(jié)合工具書(shū)、教科書(shū)等公知文獻(xiàn)及本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的通常理解進(jìn)行解釋。
本指南所稱(chēng)專(zhuān)利審查檔案，包括專(zhuān)利審查、復(fù)審、無(wú)效程序中專(zhuān)利申請(qǐng)人或者專(zhuān)利權(quán)人提交的書(shū)面材料，國(guó)務(wù)院專(zhuān)利行政部門(mén)及其專(zhuān)利復(fù)審委員會(huì)制作的審查意見(jiàn)通知書(shū)、會(huì)晤記錄、口頭審理記錄、生效的專(zhuān)利復(fù)審請(qǐng)求審查決定書(shū)和專(zhuān)利權(quán)無(wú)效宣告請(qǐng)求審查決定書(shū)等。
在這一條中明確了專(zhuān)利權(quán)利要求的解釋規(guī)則，其中第一款被稱(chēng)為“內(nèi)部證據(jù)”，第二款為“外部證據(jù)”，具體運(yùn)用時(shí)采取內(nèi)部證據(jù)優(yōu)于外部證據(jù)的基本規(guī)則。本文案例中，二審法院作出裁判依據(jù)的專(zhuān)利審查檔案屬于內(nèi)部證據(jù)，只有在內(nèi)部證據(jù)不足以解釋清楚權(quán)利要求時(shí)才會(huì)使用外部證據(jù)進(jìn)行解釋。涉案專(zhuān)利實(shí)質(zhì)審查階段的審查檔案完全可以解釋其權(quán)利要求1的保護(hù)范圍，因此，不需要脫離內(nèi)部證據(jù)去通過(guò)字面的個(gè)人理解進(jìn)行解釋?zhuān)景敢粚彿ㄔ涸谶m用專(zhuān)利權(quán)利要求解釋規(guī)則中出現(xiàn)了紕漏。
